型号:BSZ0902NSI | 类别:FET - 单 | 制造商:Infineon Technologies |
封装:8-PowerTDFN | 描述:MOSFET N-CH 30V 21A TSDSON-8 |
详细参数
类别 | FET - 单 |
---|---|
描述 | MOSFET N-CH 30V 21A TSDSON-8 |
系列 | OptiMOS™ |
制造商 | Infineon Technologies |
FET型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 21A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 2.8 毫欧 @ 30A,10V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 2V @ 250µA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 24nC @ 10V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | 1500pF @ 15V |
功率_最大 | 2.5W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
供应商设备封装 | PG-TSDSON-8(3.3x3.3) |
包装 | Digi-Reel® |
供应商
辉华拓展 | 杨泽鹏0755-83202411 |
深圳市芯脉实业有限公司 | 周19166203057 |
深圳市裕硕科技有限公司 | 雷小姐086-0755-23613962/82706142 |
深圳市芯福林电子科技有限公司 | 张女士0755-82574045 |
深圳市芯柏然科技有限公司 | 欧阳0755-82533534 |
深圳市恒佳微电子有限公司 | 朱经理、张小姐0755-82533156 82710336 |
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